NuAxi半导体贸易情报
低影响影响力评分：12/100
牛津仪器与ITRI合作开发凹槽栅GaN器件
牛津仪器与台湾工研院宣布开发出凹槽栅极GaN MISHEMT技术，旨在提升功率器件性能。该研发面向电动汽车及数据中心等高压应用场景。中性：此为远期工艺研发进展，对当前组件供应、价格及交易无直接影响。
GaN MISHEMTGaN-on-Si power devices
R&DGaNpower semiconductorstechnology milestone
来源：Semiconductor Today · 2022/9/26 · 查看原始来源
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