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HG半导体提前量产6英寸GaN外延片

HG半导体公司已开始大规模生产自研的6英寸氮化镓功率器件外延片,比原计划提前了三个月。技术团队利用经验在三个月内完成产线调试,推动了第三代半导体的快速产业化。中性:此举为GaN材料长期供应增加了产能,但对现货市场成品器件的价格和可获得性暂无直接、即时影响。

GaN Power DevicesGaN Epitaxial Wafers
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来源:Semiconductor Today · 2022/11/4 · 查看原始来源

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