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EPC发布150V/3mΩ与200V/5mΩ GaN FET新品

EPC推出业界最低导通电阻的150V/3mΩ EPC2305与200V/5mΩ EPC2304 GaN FET,采用3mm x 5mm增强散热QFN封装。此举属于常规产品性能迭代,旨在提升电源转换效率。中性:本次新品发布未改变现有元件供需或价格,对交易无直接方向性影响。

GaN FETPower Transistor
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来源:Semiconductor Today · 2022/12/14 · 查看原始来源

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