NuAxi半导体贸易情报
低影响影响力评分：15/100
EPC发布200V/10mΩ GaN FET新品EPC2307
EPC公司推出200V、10mΩ导通电阻的EPC2307 GaN FET，采用3mm x 5mm QFN封装。此举属于常规产品线更新，旨在增强其eGaN功率器件组合的竞争力。中性：此次新品发布未改变现有元件的供需格局，对现货市场价格无直接影响。
GaN FETPower Transistors
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来源：Semiconductor Today · 2023/1/31 · 查看原始来源
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