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英特尔攻克封装墙，HBM良率提升至99%
英特尔在Fab9攻克超大型芯片封装流体密封难题，实现7倍网格极限EMIB封装良率超99%。该技术通过优化材料与喷涂策略，解决了HBM等高密度集成芯片的空隙缺陷，为下一代AI算力系统提供关键支撑。利多：封装瓶颈突破将提升HBM及Chiplet供应链的产能释放能力。
ChipletsHBMEMIBFoverosGlass Substrate
advanced_packagingchiplethbmfab_expansionyield_improvement
2026/7/29
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