NuAxi半导体贸易情报
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长鑫存储押注定制化3D DRAM突破HBM禁令
长鑫存储转向定制化3D DRAM技术以绕过HBM禁令。三星等韩企对大规模量产持谨慎态度。关注：尽管面临良率与成本挑战，此举为中国厂商打破技术封锁提供新路径。
3D DRAM
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来源：cnBeta · 2026/7/24 · 查看原始来源
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