NuAxi半导体贸易情报
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英诺赛科发布650V GaN多电平拓扑参考设计
英诺赛科与伯尔尼应用科学大学合作推出采用650V InnoGaN器件的多电平拓扑参考设计，瞄准850VDC应用。该合作属于技术研发里程碑，旨在展示GaN在电动汽车快充及工业逆变器中的潜力。中性：此为远期技术演示，对当前GaN器件供需及价格无直接影响。
GaN HEMTPower Transistors
product-launchR&DGaN
来源：Semiconductor Today · 2023/5/10 · 查看原始来源
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