相变忆阻器芯片研制成功，加速比达478倍

北京大学与中科院团队成功研制全球首款相变忆阻器神经动力学芯片。该芯片通过“可控存内计算”范式解决存储墙瓶颈，在特定任务中加速比达478倍。中性：技术突破为脑机接口等应用提供新算力底座，但尚未形成量产供应。

2026/7/5