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EPC起诉英诺赛科专利侵权，涉四项eGaN专利
英诺赛科就EPC在美国ITC及联邦法院提起的四项eGaN专利侵权诉讼进行积极抗辩。EPC指控英诺赛科的GaN功率器件侵犯其基础专利组合。关注：诉讼结果可能影响英诺赛科GaN器件对美供应，为相关采购带来不确定性。
GaN power semiconductors
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来源：Semiconductor Today · 2023/5/30 · 查看原始来源
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