NuAxi半导体贸易情报
低影响影响力评分：8/100
CEA-Leti验证锗锡电子迁移率超硅
法国CEA-Leti实验室验证锗锡材料电子迁移率高于硅或锗，可实现更低功耗的垂直晶体管。该技术尚处概念验证阶段，目标应用于未来高性能芯片。中性：此为长期研发进展，对当前半导体交易供需与价格无直接影响。
Germanium Tin WafersAdvanced Transistors
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来源：Semiconductor Today · 2023/6/5 · 查看原始来源
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