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三星展示42nm栅极间距3D堆叠晶体管

三星展示42nm栅极间距3D堆叠晶体管结构,将垂直集成技术引入逻辑半导体。该技术旨在突破芯片制程物理极限,延续摩尔定律演进路径。关注。目前尚无明确的产能或价格变动信号,属于技术路线图层面的进展。

Logic Semiconductors3D Stacked Transistors
R&D3D StackingTechnology

来源:DigiTimes Asia · 2026/6/17 · 查看原始来源

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实时定价、供应信号与 AI 分析,为半导体贸易商而生