NuAxi半导体贸易情报
低影响影响力评分：10/100
台积电N3B制程量产，栅极间距45纳米
台积电N3B 3纳米制程已于2022年底量产，其接触栅极间距为45-47纳米并采用了新的自对准接触方案。该文章为技术细节剖析，未提供影响产能爬坡或良率的关键数据。利多/利空/关注: 中性，此为技术研发里程碑信息，对当前元件交易所需的供应、需求或价格无直接可操作影响。
Advanced Logic
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来源：WikiChip Fuse · 2023/5/27 · 查看原始来源
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