印度研究院实现GaN功率开关本土化制造

印度科学研究院成功研发200V/8A常关型GaN-on-Si HEMT，实现从外延到封装的完全本土化制造。该成果属于学术机构的技术验证，旨在建立本土半导体能力。中性：此为长期研发里程碑，对当前GaN功率器件的商业供应、价格及采购决策无直接影响。

来源：Semiconductor Today · 2023/9/28 · 查看原始来源