NuAxi半导体贸易情报
低影响影响力评分：10/100
CGD氮化镓芯片获台积电欧洲论坛最佳演示奖
剑桥GaN器件公司的ICeGaN GaN HEMT系统级芯片在台积电欧洲技术论坛获颁'最佳演示奖'。该奖项基于台积电的硅基氮化镓平台，展示了CGD在功率半导体设计上的进展。中性：此为研发里程碑事件，对当前组件供需与价格无直接影响。
GaN HEMTPower Transistors
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来源：Semiconductor Today · 2023/10/9 · 查看原始来源
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