NuAxi半导体贸易情报
英特尔首发3D堆叠CMOS与背面供电集成技术
发生了什么
英特尔在IEDM 2023上首次展示了结合背面供电与背面直接接触的3D堆叠CMOS晶体管，并成功在300mm晶圆上单片集成了硅与氮化镓晶体管。该展示属于前沿制程技术的研发里程碑，距离量产尚有数年时间。中性：该技术突破短期内不影响任何具体元器件的供应、库存或价格。
影响与信号
低影响影响力评分：10/100
受影响器件与厂商
Logic (CMOS)GaN Transistors
rd-milestoneprocess-technology3d-integration
来源与时间
来源：Semiconductor Today · 2023/12/11 · 查看原始来源
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