NuAxi半导体贸易情报
低影响影响力评分：10/100
金刚石衬底GaN HEMT散热性能翻倍
日本大阪公立大学研究团队成功制造出基于金刚石衬底的GaN HEMT，其散热性能为GaN-on-SiC的两倍。该成果旨在解决高功率器件散热瓶颈，目前处于实验室研发阶段。中性：此为远期技术进展，对当前商用GaN元件的供应、价格及采购决策无直接影响。
GaN HEMTGaN-on-SiCGaN-on-Diamond
researchthermal-managementpackaging
来源：Semiconductor Today · 2024/1/8 · 查看原始来源
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