NuAxi半导体贸易情报
低影响影响力评分：12/100
Soctera展示GaN HEMT热性能，温升59°C耗散10.4W/mm
Soctera公司展示其GaN HEMT在耗散10.4W/mm功率时，峰值表面温升仅为59°C，优于典型器件约5W/mm即达限值的热性能。该技术旨在提升下一代电信和雷达应用的功率放大器功率密度与可靠性。中性：此为实验室研发里程碑，对当前商用GaN器件的供应、需求及价格无直接影响。
GaN HEMTsMillimeter-wave Power Amplifiers
R&Dthermal-performanceGaN
来源：Semiconductor Today · 2024/2/9 · 查看原始来源
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