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东京大学扩展高NA EUV传输系数公式

东京大学研究人员发表高数值孔径EUV传输系数公式研究。该研究基于SPIE 2026会议,修正了包含极化效应的STCC公式。关注:技术细节优化有助于提升高NA EUV光刻精度,但短期无供需影响。

High-NA EUV LithographyEUV Lithography
R&DEUVLithography

来源:Semiconductor Engineering · 2026/5/6 · 查看原始来源

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