NuAxi半导体贸易情报
英飞凌发布第二代CoolSiC MOSFET，性能提升20%
发生了什么
英飞凌推出第二代650V/1200V CoolSiC MOSFET，宣称关键性能指标提升最高达20%。此举为常规技术迭代，旨在提升功率应用的整体能效。中性：此次产品更新为标准动作，对现货市场的供需与价格暂无直接影响。
影响与信号
低影响影响力评分：15/100
受影响器件与厂商
SiC MOSFET
Infineon Technologies AG
product-launchsicefficiency
来源与时间
来源：Semiconductor Today · 2024/3/5 · 查看原始来源
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