英飞凌在美起诉英诺赛科专利侵权

英飞凌在美国对氮化镓厂商英诺赛科提起专利侵权诉讼，要求永久禁令。诉讼涉及英飞凌提升GaN器件可靠性与性能的核心专利技术。关注：若诉讼成功可能影响英诺赛科在美市场准入，为GaN供应格局带来法律风险，但对当前价格与供应无直接影响。

来源：Semiconductor Today · 2024/3/14 · 查看原始来源