NuAxi半导体贸易情报
低影响影响力评分：10/100
翼迅科技GaN-on-Sapphire基板减薄至50微米
翼迅科技成功将8英寸GaN-on-Sapphire基板减薄至50微米，热阻降至0.8°C/W。此举有效解决了GaN器件散热瓶颈，性能优于硅基GaN。利多: 该技术突破有望提升GaN-on-Sapphire在高功率应用中的竞争力，推动相关市场需求。
GaN-on-Sapphire substrate
thermal_managementGaNsubstrate
来源：TrendForce · 2026/4/26 · 查看原始来源
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