三星推进10纳米以下DRAM，SK海力士准备HBM新品采样

三星电子据报已生产出10纳米以下DRAM的工作芯片，SK海力士则准备对其下一代高带宽内存产品进行采样。这是两家公司在各自技术路线图上的长期研发进展。中性：此为前瞻性研发公告，对当前供应、需求及价格无直接影响。

来源：DigiTimes Asia · 2026/4/25 · 查看原始来源