NuAxi半导体贸易情报
低影响影响力评分:8/100
三星10a DRAM研发成功,目标2028年量产
三星电子据称已生产出10a DRAM的工作晶圆,为首个采用4F方形和垂直沟道晶体管技术的10纳米以下节点。该公司目标是在2028年实现该技术的大规模生产。中性:此为长期研发里程碑,对近期供应、价格及交易决策无直接影响。
DRAM
R&Dprocess-node
来源:TrendForce Official (Market Data) · 2026/4/24 · 查看原始来源
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