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低影响影响力评分:8/100

阿肯色大学碳化硅研发设施封顶

阿肯色大学完成碳化硅多用户研究与制造设施的结构封顶,该设施旨在支持6英寸SiC晶圆研发。项目由美国国家科学基金会等资助,以加强美国在宽禁带半导体领域的研究能力。中性:此为长期研发进展,对当前商用碳化硅器件的供应、价格及交易无直接影响。

Silicon Carbide (SiC) SubstratesSiC Power Devices
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来源:Semiconductor Today · 2024/5/2 · 查看原始来源

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