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美ITC裁定EPC GaN专利有效，英诺赛克侵权
美国ITC裁定EPC持有的关键GaN专利有效，并认定英诺赛克构成侵权。这是EPC知识产权在三个月内第三次获得有利裁决。关注：裁决巩固了EPC的市场地位，可能扰乱英诺赛克在美供应链，或导致竞争性GaN功率器件供应趋紧。
GaN FETGaN Power IC
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来源：Semiconductor Today · 2024/7/9 · 查看原始来源
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