英特尔晶圆代工推出GaN与硅结合芯片

英特尔晶圆代工在30nm工艺下制造了全球最薄GaN-on-silicon芯片，厚度仅19微米。该技术首次将GaN功率器件与硅计算逻辑结合，旨在提升高温环境下的能效。利多关注：该技术有望优化电动汽车及数据中心电源管理，但短期对现货价格无直接影响。

来源：TechPowerUp · 2026/4/9 · 查看原始来源