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英飞凌首发300mm功率氮化镓晶圆技术

发生了什么

英飞凌在其现有300mm硅产线上开发出首款300mm功率氮化镓晶圆技术,单片晶圆芯片产出提升2.3倍。此举旨在利用现有规模化产线推动氮化镓功率半导体的市场普及。中性:此为长期研发里程碑,对当前氮化镓元件的供应、价格及库存无直接影响。

影响与信号

低影响影响力评分:10/100

受影响器件与厂商

Power GaN
Infineon Technologies AG
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来源与时间

来源:Semiconductor Today · 2024/9/11 · 查看原始来源

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实时定价、供应信号与 AI 分析,为半导体贸易商而生