韩国GaAs本土化获突破，4英寸工艺良率达95%

韩国报告称已在4英寸工艺上实现GaAs组件95%的良率，达成化合物半导体本土化关键节点。此举旨在减少对进口高性能射频组件的依赖。利空/利空/关注：此为长期研发进展，对当前交易价格及现货供应无直接影响。

来源：DigiTimes Asia · 2026/4/2 · 查看原始来源