NuAxi半导体贸易情报
低影响影响力评分：15/100
天成半导体成功研制14英寸碳化硅单晶
天成半导体成功研制14英寸碳化硅单晶材料，有效厚度达30毫米。该企业此前已实现12英寸碳化硅双突破，此次研发基于自主研发设备。关注：技术里程碑，短期对供应链无直接影响。
SiC single crystal materialSiC components
R&DSiCMaterial
来源：财联社电报 · 2026/3/28 · 查看原始来源
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