NuAxi半导体贸易情报
低影响影响力评分：8/100
德国注资200万欧元研发氧化镓功率器件技术
德国莱布尼茨晶体生长研究所牵头的'All-GO-HEMT'项目获得200万欧元联邦教研部资助，旨在开发高迁移率氧化镓异质结构。该项目聚焦提升功率电子器件效率，以支持可持续能源发电。中性：此为长期研发里程碑，对当前商用功率半导体组件的供应、库存及价格无直接影响。
Power SemiconductorsGallium Oxide (Ga2O3) Substrates
R&Dgovernment-fundingwide-bandgap
来源：Semiconductor Today · 2024/10/25 · 查看原始来源
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