NuAxi半导体贸易情报
低影响影响力评分：7/100
imec揭示氧气致EUV金属氧化物光刻胶尺寸漂移
imec研究证实，在EUV后烘烤阶段，大气中的氧气是导致锡基金属氧化物光刻胶关键尺寸漂移的主要化学因素，而非二氧化碳或水汽。该发现基于对曝光后化学反应的精确测量，旨在解决高数值孔径EUV光刻的工艺控制挑战。利空/利多/关注: 中性，此为远期工艺研发进展，对当前光刻胶供应链、价格及组件交易无直接影响。
EUV PhotoresistMetal Oxide Resist (MOR)
R&DlithographyEUVprocess-control
来源：SemiWiki · 2026/3/25 · 查看原始来源
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