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SK海力士评估台积电3纳米工艺用于HBM4E

SK海力士据称正评估采用台积电3纳米工艺生产第七代HBM4E内存的逻辑芯片。此举源于HBM技术演进对先进逻辑工艺与封装集成的需求提升。利空/利空/关注: 此为远期技术评估,对当前HBM供应、价格及交易决策无直接影响。

HBM4E
technologyR&D

来源:财联社电报 · 2026/3/22 · 查看原始来源

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