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SK海力士拟用台积电3nm制HBM4E逻辑芯片
SK海力士考虑采用台积电3nm工艺制造HBM4E逻辑芯片，以对标三星计划采用的4nm工艺。此举旨在通过更先进的逻辑工艺在下一代HBM竞争中获取性能优势。利多：此为2026年后的技术路线规划，对当前HBM4/HBM3e的供应和价格无直接影响。
HBM4EHBM5
technology-trendfoundryhbm
2026/3/19
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