NuAxi半导体贸易情报
低影响影响力评分：10/100
Imec实现140GHz下0.1dB损耗的InP小芯片集成
比利时研究机构Imec在IEDM 2024上展示了将磷化铟小芯片集成到300mm射频硅中介层上的成果，在140GHz频率下插入损耗仅为0.1dB。该技术旨在为未来100GHz以上的通信和雷达传感应用开发更紧凑、高效的模块。中性：此为远期研发里程碑，对当前电子元件供应链、库存及价格无直接影响。
RF Silicon InterposerInP Chiplets
R&Dheterogeneous-integrationmmWave
来源：Semiconductor Today · 2024/12/9 · 查看原始来源
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