DARPA拨款300万美元研发GaN-on-Si技术

DARPA向宾州州立大学拨款300万美元，与诺斯罗普·格鲁曼合作开发新型氮化镓上硅集成技术。该项目旨在提升功率电子性能并降低成本，适用于电动汽车及数据中心等高需求场景。中性：此为长期研发进展，对当前组件供应、价格及交易无直接影响。

来源：Semiconductor Today · 2024/12/12 · 查看原始来源