NuAxi半导体贸易情报
低影响影响力评分：10/100
山东大学P-GaN HEMT阈值电压突破7.1V
山东大学研发出阈值电压达7.1V、关态击穿电压1980V的P-GaN栅HEMT器件。该成果属于实验室阶段的可靠性技术突破，尚未进入量产或商业发布。中性：此项学术研究对当前功率半导体供应链及交易价格无直接影响。
GaN HEMTPower Semiconductors
R&Dtechnology-milestone
来源：Semiconductor Today · 2025/1/14 · 查看原始来源
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