III–V Epi倡导GaAs外延再生技术用于激光器

III–V Epi公司技术负责人主张在新型激光应用中采用GaAs外延再生技术，作为InP材料的潜在替代方案。该观点基于GaAs材料体系在特定应用场景下的性能潜力。中性：此为远期技术路线探讨，对当前GaAs或InP外延片贸易的供需与价格无直接影响。

来源：Semiconductor Today · 2025/1/27 · 查看原始来源