NuAxi半导体贸易情报
低影响影响力评分：8/100
AlixLabs合作研发GaN刻蚀技术
AlixLabs与林雪平大学合作研发GaN/InN沉积与刻蚀工艺。该合作旨在推进其原子层刻蚀间距分裂技术，服务于射频与功率电子领域。中性：此为长期研发进展，对当前元器件供应、价格及交易决策无直接影响。
GaN RFGaN Power
R&Detch-technology
来源：Semiconductor Today · 2025/2/4 · 查看原始来源
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