NuAxi半导体贸易情报
东芝量产四款650V第三代SiC MOSFET新品
发生了什么
东芝电子开始量产四款采用第三代芯片的650V SiC MOSFET，型号为TW031V65C等，采用8x8mm DFN封装。此举旨在为服务器和工业设备提供更高效的功率器件选项。中性：新品上市增加市场供应选择，但未改变现有SiC MOSFET的供需基本面或价格趋势。
影响与信号
低影响影响力评分：20/100
受影响器件与厂商
650V SiC MOSFET
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
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来源与时间
来源：Semiconductor Today · 2025/5/20 · 查看原始来源
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