SK海力士研发HBM4新封装技术缩小层间距

SK海力士正为HBM4研发缩小DRAM层间距与增加芯片厚度的全新封装技术，旨在提升供电效率与稳定性。此举是与三星电子在HBM4市场进行技术竞争的一部分，以解决I/O数量翻倍带来的信号干扰与供电挑战。利空/利多/关注: 中性，此为远期研发进展，对当前HBM产品的供应、需求及价格无直接影响。