NuAxi半导体贸易情报
低影响影响力评分:8/100
清华团队实现手性反铁磁全电学翻转
清华大学团队在《自然》发表论文,基于Mn3Sn同质结实现了手性反铁磁序的高效全电学翻转,关键效率指标较铁磁材料提升两个数量级。该研究旨在解决磁存储技术高密度与超快读写难以兼得的核心瓶颈。中性:此为远期技术路线突破,对当前存储芯片供应链、价格及交易无直接影响。
MRAM新兴磁存储器
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来源:IT Home · 2026/3/2 · 查看原始来源
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