imec研究：富氧烘烤可加速光刻胶反应20%

比利时imec研究发现，在金属氧化物光刻胶烘烤环节将氧气浓度提升至50%，可使进程加速15-20%，有望降低High NA EUV等先进光刻的曝光剂量。该成果处于测试平台阶段，旨在优化全流程效率，尚未进入量产验证。中性：此为远期工艺研发进展，对当前芯片供需、价格及交易决策无直接影响。

来源：IT Home · 2026/2/27 · 查看原始来源