NuAxi半导体贸易情报
低影响影响力评分:8/100
imec EUV光刻胶氧处理提速20%
imec实验显示,在EUV曝光后烘烤步骤中提升氧气浓度,可使金属氧化物光刻胶感光速度提升15-20%。该研究利用其BEFORCE专用平台,旨在探索提升EUV扫描仪产能的潜在工艺路径。利空/利多/关注:中性,此为远期工艺研发进展,对当前半导体组件供需、价格及交易决策无直接影响。
EUV Lithography EquipmentMetal-Oxide Resists (MOR)
R&DEUVthroughput
来源:EE Journal · 2026/2/27 · 查看原始来源
查看 NuAxi 完整情报 →
实时定价、供应信号与 AI 分析,为半导体贸易商而生