NuAxi半导体贸易情报
低影响影响力评分:8/100
Imec EUV光刻胶工艺提速20%
Imec实验显示,在EUV曝光后烘烤步骤中提升氧浓度,可使金属氧化物光刻胶光敏速度提升15-20%,或提升EUV扫描机产能。该技术针对先进制程所需的金属氧化物光刻胶,但需新设备且工业化前景未定。利空/利多/关注: 中性,此为远期工艺研发进展,对当前组件供需与价格无直接影响。
EUV PhotoresistMetal-Oxide Resist (MOR)
EUVlithographyprocess-improvementR&D
来源:Tom's Hardware · 2026/2/27 · 查看原始来源
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