NuAxi半导体贸易情报
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三星停产2D NAND，产线转产1c nm DRAM
三星电子最早将于3月停止在华城12号产线制造2D NAND闪存。该产线将转为1c nm DRAM内存的后端制程服务。利多：利基市场2D NAND供应源被移除，可能加剧特定应用的供应紧张。
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来源：36氪·快讯 · 2026/2/25 · 查看原始来源
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