NuAxi半导体贸易情报
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三星停产2D NAND并改造产线扩产HBM4
三星电子将于3月正式停产2D NAND闪存，并将华城12号产线（月产能8-10万片晶圆）改造用于生产1c DRAM及下一代HBM4。此举顺应了3D NAND全面取代平面NAND的技术趋势，并瞄准AI算力对高带宽存储的爆发性需求。利多：削减低端NAND供给，同时增加先进DRAM/HBM产能，可能加剧存储市场结构性紧张。
2D NAND FlashDRAMHBM
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来源：cnBeta · 2026/2/25 · 查看原始来源
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