三星停产2D NAND，产线转产1c nm DRAM

三星电子最早将于3月停止在华城12号生产线制造2D NAND闪存，其2D NAND时代正式结束。该产线将转为1c nm DRAM的后端工艺产线，与平泽园区的DRAM产能扩张协同。利多：利基市场2D NAND供应永久性削减，同时产能转换强化了三星在先进DRAM节点的投入，可能加剧高端DRAM的供应集中度。

来源：IT Home · 2026/2/25 · 查看原始来源