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低影响影响力评分：10/100
韩日提出垂直DRAM架构，互连提升4倍
韩日研究人员提出V-Die与MOSAIC架构，将DRAM垂直放置以解决HBM散热问题。V-Die通过液冷将互连提升4倍并降低37%延迟，MOSAIC则利用感应耦合提升30%容量与3倍热导率。中性：该技术目前仍处于原型阶段，对现货价格无直接影响。
HBMDRAM
hbmr-and-dthermal-managementmemory-architecture
2026/7/14
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