三星HBM研发目标I/O密度增10倍

三星支持的垂直Die研发项目目标HBM I/O密度提升10倍及带宽增长4倍。该项目由KAIST教授主导，通过直立芯片架构突破TSV限制，论文将于2026年6月IEEE会议发表。中性影响，属于长期技术趋势，无即时供需变化。

2026/4/12