NuAxi半导体贸易情报
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三星西安厂量产236层V8 NAND闪存
三星电子西安晶圆厂已完成工艺升级，实现236层V8 NAND闪存量产，取代原有128层V6产线。此举旨在提升生产效率与产能，以满足AI时代对高性能存储的需求。利空：先进制程良率爬坡及产能扩张，将增加全球NAND供给，对价格构成下行压力。
NAND Flash
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来源：IT Home · 2026/3/29 · 查看原始来源
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